欢迎访问《空军工程大学学报》官方网站!

咨询热线:029-84786242 RSS EMAIL-ALERT
BST薄膜的制备工艺与太赫兹介电特性测试
DOI:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TN304

基金项目:

国家自然科学基金


Preparation Technology and Terahertz Test of BST Thin Film Devices
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    经过多组对比实验,通过XRD、AFM、SEM等表征手段优化了BST薄膜的制备工艺。结合BST基薄膜器件的电极制备、微结构加工制备了太赫兹频段电可调的频率选择表面。通过太赫兹测试系统验证了在太赫兹频段BST薄膜的可调性,在电场作用下通带频率可以从0.85 THz调节到0.87 THz,结合仿真研究给出了确定铁电薄膜在THz频段介电参数的方法。相关研究可用于精确测定铁电薄膜在THz频段的介电特性,为铁电薄膜功能器件的研制提供精确的介电参数测试方法。

    Abstract:

    The preparation technology of BST thin film, electrode preparation, microstructure fabrication and terahertz band measurement method of BST thin film devices are systematically studied. The optimum preparation process of BST thin films is obtained by XRD, AFM and SEM. The electrically tunable frequency selective surface (FSS) in terahertz band is fabricated by electrode fabrication and microstructure fabrication of BSTbased thin film devices. Under condition of the action in electric field, the passband frequency is adjusted from 0.85 THz to 0.87 THz, proving the tuneability of BST thin films in THz band,and the method to determine the dielectric parameters of ferroelectric thin films in THz band is given. The related research can be used to accurately measure the dielectric properties of ferroelectric thin films in THz band, and provide accurate dielectric parameters for the development of functional devices of ferroelectric thin films.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

董博文,马华,王军,娄菁,冯明德. BST薄膜的制备工艺与太赫兹介电特性测试[J].空军工程大学学报,2018,19(6):97-102

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期: 2018-12-28
  • 出版日期: