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一种单电子晶体管的Spice模型
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中图分类号:

TN321

基金项目:

陕西省自然科学基金资助(2002F34);空军工程大学学术基金资助(2002X12)


A Spice Model for Single-Electron Transistors SUN Tie-shu,CAI Li,CHEN Xue-jun
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    摘要:

    基于单电子晶体管数学分析模型,提出了它的Spice模型。该模型由一个电压控制电流源、一个电压控制电压源和一个电压源构成。与半分析模型相比较,该模型准确地表现了单电子晶体管的I-V特性。利用该模型,分析了单电子反相器和改进了二叉判别图基本单元。

    Abstract:

    A Spice model is proposed based on the physical model of single-electron transistors (SETs). It consists of a voltage-controlled current source, a voltage-controlled voltage source and a voltage source. Compared with quasi-analytical SET model, the I-V property of SET can be shown accurately. The single-electron inverter is investigated and the unit device for Binary Dicision Diagram (BDD) is improved.

    参考文献
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    引证文献
引用本文

孙铁署, 蔡理,陈学军.一种单电子晶体管的Spice模型[J].空军工程大学学报,2003,(6):65-67

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  • 在线发布日期: 2015-11-19
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